A mathematical simulation of implantation processes of doping donor and acceptor impurities in a silicon wafer

Authors

  • G.A. Tarnavsky

Keywords:

mathematical simulation
doping in silicon
implantation
donor and acceptor impurities

Abstract

A computational method for the mathematical simulation of one of the main technological processes in the nanostructured semiconductor material fabrication is briefly described. Some numerical results obtained with variation of constitutive parameters are analyzed. Several problems of mathematical simulation related to a size decrease of nanoelectromechanical systems are discussed.

New computational technologies

Downloads

Published

2009-09-30

Issue

Vol. 10 (2009): Issue 3.

Section

Section 1. Numerical methods and applications

Author Biography

G.A. Tarnavsky

The Institute of Computational Mathematics and Mathematical Geophysics of SB RAS (ICM&MG SB RAS)
• Leading Researcher

References

  1. Тарнавский Г.А., Анищик В.С. Инструментарий NanoMod компьютерной поддержки проектирования наноструктурированных полупроводниковых материалов // Вычислительные методы и программирование. 2009. 10, № 1. 180-186.
  2. Тарнавский Г.А., Анищик В.С. Решатели процессорной системы программного комплекса NanoMod // Нано- и микросистемная техника. 2009. № 4. 6-13.
  3. Runge H. Distribution of implanted ions under arbitrarily shaped mask // Phys. Stat. Sol., 1977. 39(a). 595-607.
  4. Furikawa S., Matsumura H., and Ishiwara H. Theoretical consideration on lateral spread of implanted ions // Jap. J. Appl. Phys. 1972. 11, N 2. 134-142.
  5. Monfray S., Skotnicki T., Tavel B., Morand Y., Descombes S., Talbot A., Dutarte D., Leverd F., Le Friec Y., Palla R., Pantel R., Haond M., Nier M.-E., Vizioz C., Louis D. Highly-perfomant 38 nm SON (Silicon-On-Nothing) P-MOSFETs with 9 nm-thick channels // IEEE SOI Conference Proc. 2002. 22-25.
  6. Адамов Д.Ю., Матвеенко О.С. Усовершенствование структур МОП-транзисторов в нанометровых технологиях // Нано- и микросистемная техника. 2008. № 2. 53-63.
  7. Мустафаев Ар.Г., Мустафаев Аб.Г. Проблемы масштабирования затворного диэлектрика для МОП-технологий // Нано- и микросистемная техника. 2008. № 4. 17-22.