Potential computation in cluster growth models

Authors

  • A.V. Mozhaev
  • A.V. Prokaznikov

Keywords:

computer modeling
potential field
random walk
cluster formation

Abstract

The problem of potential computation for three-dimensional mathematical models of cluster growth is solved in the case when the boundary of a constant potential region is changed. The corresponding continuous boundary value problem is formulated. An efficient algorithm for computing the potential is proposed.

New computational technologies

Downloads

Published

2008-12-25

Issue

Vol. 10 (2009): Issue 1.

Section

Section 1. Numerical methods and applications

Author Biographies

A.V. Mozhaev

P.G. Demidov Yaroslavl State University
• PhD Student

A.V. Prokaznikov

Institute of Physics and Technology of RAS,
Yaroslavl Branch
• Leading Researcher

References

  1. Гулд Х., Тобочник Я. Компьютерное моделирование в физике. М.: Мир, 1990.
  2. Федер E. Фракталы. М.: Мир, 1991.
  3. Пьетронеро Л., Тозатти Э. Фракталы в физике. М.: Мир, 1988.
  4. Nallet P., Chassaing E., Walls M.G., Hytch M.J. Interface characterization in electrodeposited Cu-Co multilayers // J. Appl. Phys. 1996. 79, N 9. 6884-6889.
  5. Aravamudhan S., Luongo K., Poddar P., Srikanth H., Bhatsali S. Porous silicon templates for electrodeposition of nanostructures // Appl. Physics A. 2007. 83. 773-780.
  6. Ландау Л.Д., Лифшиц. Е.М. Краткий курс теоретической физики. 1. М.: Наука, 1969.
  7. Бучин Э.Ю., Проказников А.В. Закономерности образования пор различной морфологии // Микроэлектроника. 1998. 27, вып. 2. 107-113.
  8. Тихонов А.Н., Самарский А.А. Уравнения математической физики. М.: Наука, 1972.
  9. Можаев А.В., Бучин Э.Ю., Проказников А.В. Динамическая модель формирования трехмерных кластеров // Письма в Журн. технич. физики. 2008. 34, вып. 10. 53-60.
  10. Bisi O., Osicini S., Pavesi L. Porous silicon: a quantum sponge structure for silicon based electronics // Surf. Sci. Reports. 2000. 38. 1-126.