NanoMod toolkit for the computer-aided design of nanostructured semiconductor materials

Authors

  • G.A. Tarnavsky
  • V.S. Anishchik

Keywords:

nanoelectronics
semiconductor materials
computer-aided design
processor system solvers
preprocessor system

Abstract

An overall description of NanoMod program complex directed to the computer-aided design of semiconductor nanomaterials is given. The functional orientation of this toolkit, the algorithms of processor system solvers, and the modes of using the preprocessor system are considered. The working lists of instructions and some results obtained during designing a number of nanostructures (the elements of integrated circuits) are discussed.

New computational technologies

Downloads

Published

2009-02-24

Issue

Vol. 10 (2009): Issue 1.

Section

Section 2. Programming

Author Biographies

G.A. Tarnavsky

The Institute of Computational Mathematics and Mathematical Geophysics of SB RAS (ICM&MG SB RAS)
• Leading Researcher

V.S. Anishchik

The Institute of Computational Mathematics and Mathematical Geophysics of SB RAS (ICM&MG SB RAS)
• PhD Student

References

  1. Асеев А.Л. Наноматериалы и нанотехнологии для современной полупроводниковой электроники // Российские нанотехнологии. 2006. № 1. 97-110.
  2. Тарнавский Г.А., Анищик В.С. Программные комплексы компьютерного проектирования микроэлектромеханических систем // Нано- и микросистемная техника. 2008. № 11. 23-29.
  3. Тарнавский Г.А., Анищик В.С. Программный комплекс NanoMod для компьютерной поддержки научных исследований в наноэлектронике: система ввода данных и инициализации процессорных систем // Труды ИВМ и МГ СО РАН. Серия: информатика. 2008. 8. 5-12.
  4. Тарнавский Г.А., Жибинов С.Б., Алиев А.В., Анищик В.С., Tарнавский А.Г. Интернет-центр компьютерного моделирования в научных исследованиях и прикладном проектировании // Высокие технологии, фундаментальные и прикладные исследования, образование. СПб.: Изд-во СПб Политехнического университета. 2008. 13. 114-119.
  5. Тарнавский Г.А. Нанотехнологии в электронике: краткий обзор основных процессов производства современных микроэлектромеханических систем // Справочник. Инженерный журнал. 2008. № 11. 49-57.
  6. Runge H. Distribution of implanted ions under arbitrarily shaped mask // Phys. Stat. Sol., 1977. T. 39(a). 595-607.
  7. Deal B.E., Grove A.S. General relationship for the thermal oxidation of silicon // Appl. Phys. 1965. 36. 37-70.
  8. Александров А.Л., Тарнавский Г.А., Шпак С.И., Гулидов А.С.,
  9. Обрехт М.С. Численное моделирование задачи динамики роста пленки окисла в полупроводниковых подложках на основе геометрического подхода и метода Дила-Гроува // Вычислительные методы и программирование. 2001. 2, № 1. 92-111.
  10. Grove A.S. et al. Redistribution of acceptor and donor impurities under oxidation of silicon // J. Appl. Phys. 1964. 35. 2695-2716.
  11. Тарнавский Г.А., Шпак С.И., Обрехт М.С. Численное моделирование и компьютерный алгоритм процесса сегрегации легирующих примесей на границе волны окисления в полупроводниковых подложках // Вычислительные методы и программирование. 2001. 2, № 1. 16-30.
  12. Тарнавский Г.А. Ударные волны в газах с различными показателями адиабаты до и после фронта скачка // Вычислительные методы и программирование. 2002. 3, № 2. 222-236.
  13. Тарнавский Г.А., Алиев А.В. Особенности аэродинамики высокоскоростного полета: компьютерное моделирование гиперзвукового обтекания головной части объекта // Вычислительные методы и программирование. 2008. 9, № 2. 185-208.
  14. Тарнавский Г.А., Анищик В.С., Тарнавский А.Г. Влияние защитных масок при отжиге кремниевой пластины на формирование наноразмерных гетероструктур легирующих примесей фосфора // Нано- и микросистемная техника. 2008. № 3. 57-65.
  15. Тарнавский Г.А., Жибинов С.Б., Алиев А.В., Анищик В.С., Тарнавский А.Г. Компьютерное моделирование технологических процессов травления и оксидирования кремния и формирования наноструктур легирующих примесей в подложке базового материала // Высокие технологии, фундаментальные и прикладные исследования, образование. СПб.: Изд-во СПб Политехнического университета. 2008. 13. 241-246.
  16. Tarnavsky G.A. Design of semiconductor materials for nanoelectronics. Technological process segment: annealing of wafer and formation of doping nanostructures // J. Engineering Physics and Thermophysics. 2008. 81, № 5. 994-1004.