A special doping regime in silicon wafer nanocolumns

Authors

  • G.A. Tarnavsky

Keywords:

computer simulation
doping in silicon
implantation
donor and acceptor impurities

Abstract

Computer simulation for the ion implantation of impurities into silicon plate surface nanocolumns is conducted when the ion stream line is parallel to the plate base.

New computational technologies

Downloads

Published

2010-06-22

Issue

Vol. 11 (2010): Issue 3.

Section

Section 1. Numerical methods and applications

Author Biography

G.A. Tarnavsky

The Institute of Computational Mathematics and Mathematical Geophysics of SB RAS (ICM&MG SB RAS)
• Leading Researcher

References

  1. Тарнавский Г.А., Анищик В.С. Инструментарий NanoMod компьютерной поддержки проектирования наноструктурированных полупроводниковых материалов // Вычислительные методы и программирование. 2009. 10, № 1. 180-196.
  2. Тарнавский Г.А. Математическое моделирование процессов имплантации в кремний легирующих донорных и акцепторных примесей // Вычислительные методы и программирование. 2009. 10, № 2. 177-184.
  3. Тарнавский Г.А., Жибинов С.Б., Алиев А.В., Тарнавский А.Г. Современные информационные технологии в наноэлектронике: прямое компьютерное моделирование процессов производственного цикла создания новых полупроводниковых материалов // Инфосфера. 2007. № 35. 48-50.
  4. Тарнавский Г.А., Алиев А.В., Анищик В.С., Тарнавский А.Г., Жибинов С.Б., Чесноков С.С. Информационные технологии и проблемы создания Центра компьютерного моделирования в Интернете // Информационные технологии. 2009. № 8. 68-73.
  5. Тарнавский Г.А., Анищик В.С. Компьютерное проектирование наноэлектронных устройств // Электроника: наука, технология, бизнес. 2009. № 8. 94-98.