A special doping regime in silicon wafer nanocolumns

Authors

  • G.A. Tarnavsky The Institute of Computational Mathematics and Mathematical Geophysics of SB RAS (ICM&MG SB RAS)

Keywords:

computer simulation, doping in silicon, implantation, donor and acceptor impurities

Abstract

Computer simulation for the ion implantation of impurities into silicon plate surface nanocolumns is conducted when the ion stream line is parallel to the plate base.

Author Biography

G.A. Tarnavsky

References

  1. Тарнавский Г.А., Анищик В.С. Инструментарий NanoMod компьютерной поддержки проектирования наноструктурированных полупроводниковых материалов // Вычислительные методы и программирование. 2009. 10, № 1. 180-196.
  2. Тарнавский Г.А. Математическое моделирование процессов имплантации в кремний легирующих донорных и акцепторных примесей // Вычислительные методы и программирование. 2009. 10, № 2. 177-184.
  3. Тарнавский Г.А., Жибинов С.Б., Алиев А.В., Тарнавский А.Г. Современные информационные технологии в наноэлектронике: прямое компьютерное моделирование процессов производственного цикла создания новых полупроводниковых материалов // Инфосфера. 2007. № 35. 48-50.
  4. Тарнавский Г.А., Алиев А.В., Анищик В.С., Тарнавский А.Г., Жибинов С.Б., Чесноков С.С. Информационные технологии и проблемы создания Центра компьютерного моделирования в Интернете // Информационные технологии. 2009. № 8. 68-73.
  5. Тарнавский Г.А., Анищик В.С. Компьютерное проектирование наноэлектронных устройств // Электроника: наука, технология, бизнес. 2009. № 8. 94-98.

Published

22-06-2010

How to Cite

Тарнавский Г. A Special Doping Regime in Silicon Wafer Nanocolumns // Numerical Methods and Programming (Vychislitel’nye Metody i Programmirovanie). 2010. 11. 210-214

Issue

Section

Section 1. Numerical methods and applications

Most read articles by the same author(s)

1 2 > >>